顯然這個(gè)解決方法包括兩個(gè)橋即主橋AMNB和輔橋AMPB或ANPB同時(shí)平衡。通過(guò)檢測(cè)器從一個(gè)橋轉(zhuǎn)換到另一個(gè)橋逐次地逼近平衡而最終達(dá)到二者平衡。
壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測(cè)量臂接線端M和N的各根導(dǎo)線之間電容。
在高壓電橋中電容CN通常是固定的，比較容易采用替代法。由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加。
也因?yàn)樵诘皖l下正是高電壓技術(shù)特別對(duì)電介質(zhì)損耗關(guān)注的問(wèn)題。電容臂和測(cè)量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級(jí)上相差很多。
電源電壓直接加到一個(gè)繞組上，另一個(gè)繞組則起變壓器次級(jí)繞組的作用。將電源加到初級(jí)繞組上。
漏導(dǎo)損耗又稱電導(dǎo)損耗。實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)際的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。
在理想電橋中比例U1/U2是一個(gè)系數(shù)K，這樣，實(shí)際上ZM的輻角直接給出。變壓器電橋比西林電橋有很大的優(yōu)點(diǎn)。
一些介質(zhì)在電場(chǎng)極化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時(shí)間很短（約為10-16～10-12s），這在無(wú)線電頻率（5×1012Hz 以下）范圍均可認(rèn)為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場(chǎng)作用下，需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間（10-10s或更長(zhǎng)）才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此會(huì)引起能量的損耗。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。 [3]
當(dāng)電容CX和CN不平衡時(shí)尤為顯著，帶瓦格納（Wagner）接地電路的西林電橋，圖A。2示出了使電橋測(cè)量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。
結(jié)果絕大部分電壓都施加在電容CX和CN上，使電壓分配不平衡，上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸䦟?duì)高壓元件屏蔽時(shí)才成立。
這種方法是通過(guò)使用外接輔助橋臂ZA、ZB（瓦格納接地電路），并使這兩個(gè)輔助橋臂的中間點(diǎn)P接到屏蔽并接地。
比西林電橋使用的頻率范圍寬，由于頻率范圍的不同，橋的具體結(jié)構(gòu)也不相同。低頻電橋，通常是一個(gè)高壓電橋。
這在電子設(shè)備中是常有的，然而這樣的檢測(cè)器只要接地輸入端總是連接于P點(diǎn)，就能與裝有瓦格納接地線路的電橋一起使用。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個(gè)值愈高。
陶瓷材料的損耗
復(fù)電抗ZX和ZM之間的比值等于電壓矢量U1和U2間的比值。如果電壓矢量的比值是已知的，便可從已知的ZM推導(dǎo)出ZX。
只有當(dāng)電源的兩端可以對(duì)地絕緣時(shí)才使用上述特殊的解決方法，如果不可能對(duì)地絕緣，則必須使用更復(fù)雜裝置雙屏蔽電橋。 若外加頻率較低，介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場(chǎng)變化，則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時(shí)，介質(zhì)中的極化跟不上外電場(chǎng)變化，于是產(chǎn)生極化損耗。 [2]
變壓器電橋電感比例臂電橋概述，這種電橋的原理比西林電橋簡(jiǎn)單，其結(jié)構(gòu)原理見(jiàn)圖A.3.當(dāng)電橋平衡時(shí)。
1）漏導(dǎo)損耗
2）極化損耗
用這種方法精度可以提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，這時(shí)，實(shí)際上該精度只決定于電橋元件的精密度。必須指出。
更精密，電壓是U1高壓，U2是中壓，這種電橋的技術(shù)與變壓器的技術(shù)有關(guān)。可采用兩類電源；
同時(shí)屏蔽必須接地，以保證平衡穩(wěn)定。屏蔽與使用被保護(hù)的電容CX和CN是一致的，這個(gè)保護(hù)對(duì)于CN來(lái)說(shuō)是必不可少的。
復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分：電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢(shì)，取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下，電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢(shì)：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機(jī)理還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來(lái)說(shuō)，簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的，這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒(méi)有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動(dòng)性增大，造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。
調(diào)節(jié)輔助橋臂實(shí)際為ZB以使在ZA和ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測(cè)量臂兩端的電壓相等。
高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對(duì)介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。
因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路，關(guān)于檢測(cè)器的說(shuō)明，當(dāng)西林電橋的B點(diǎn)接地時(shí)，必須避免檢測(cè)器的不對(duì)稱輸入。
高頻西林電橋，這種電橋通常在中等的電壓下工作，是比較靈活方便的一種電橋；通常電容CN是可變的。
此電容承受跨接測(cè)量臂兩端的電壓，這樣會(huì)引入一個(gè)通常使的測(cè)量精度限于0.1%數(shù)量級(jí)的誤差。
各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的，所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：
在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(shí)（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場(chǎng)力的影響下因克服熱運(yùn)動(dòng)而引起的能量損耗。
高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹(shù)脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強(qiáng)，但只要固化比較完全，它的介質(zhì)損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng)，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。
它允許將屏蔽和保護(hù)電極直接接地且不需要附加的輔助橋臂。這種電橋可在從工頻倒數(shù)十MHz的頻率范圍內(nèi)使用。
由于選擇不同的接地方法，實(shí)際上形成了兩類電橋。帶屏蔽的簡(jiǎn)單西林電橋，橋的B點(diǎn)在測(cè)量臂邊的電源接線端子與屏蔽相連并接地。
陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。
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